高精度半絕緣碳化硅方阻測試儀

半絕緣碳化硅的方阻、電阻率范圍通常在10?—10¹²Ω·cm之間，具體數(shù)值取決于材料純度、摻雜工藝及測量方法。以下是關(guān)鍵信息：電阻率范圍標準范圍：10?—10¹²Ω·cm（直徑50.8—200mm、厚度250—5000μm的半絕緣碳化硅單晶片）

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更新時間：2025-11-22
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半絕緣碳化硅的方阻、電阻率范圍通常在10?—1012Ω·cm之間，具體數(shù)值取決于材料純度、摻雜工藝及測量方法。以下是關(guān)鍵信息：電阻率范圍標準范圍：10?—1012Ω·cm（直徑50.8—200mm、厚度250—5000μm的半絕緣碳化硅單晶片.隨著第三代半導體碳化硅在5G通信、GaN HEMT器件等領(lǐng)域的廣泛應用，行業(yè)對材料性能檢測的統(tǒng)一性需求日益突出。該標準的制定解決了原有測試方法不統(tǒng)一的問題，為研發(fā)、生產(chǎn)及應用環(huán)節(jié)提供了規(guī)范化技術(shù)支撐.

SiC是繼第一代以Si為代表的半導體材料和以砷化鎵為代表的第二代半導體材料之后的第三代寬禁帶半導體材料，由于自身的物理性能的優(yōu)勢，碳化硅作為襯底材料在物理條件下具有得天獨厚的優(yōu)勢，特別在高溫、高頻、強磁場、抗輻射等方面顯示出獨特的優(yōu)勢。

高純半絕緣SiC襯底在通信領(lǐng)域有大量應用，同時，高純半絕緣SiC襯底作為GaN HEMT微波功率器件的關(guān)鍵襯底材料，具有重要的軍事意義。隨著5G時代到來，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代寬禁帶半導體材料將迎來發(fā)展機遇。

高純半絕緣SiC襯底電阻率的大小及分布的均勻性是影響器件質(zhì)量的關(guān)鍵參數(shù)。因此，準確測量SiC襯底電阻率，對改進襯底制備工藝及器件電學性能具有重要的意義。研究高純半絕緣SiC電阻率非接觸測量方法，統(tǒng)一行業(yè)內(nèi)測試標準，對SiC相關(guān)行業(yè)之間交流及發(fā)展具有重大推動作用。

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